Нажмите на фото, чтобы увеличитьIXYS Corporation
IXTQ22N50P
Тип корпуса: TO3P
Power MOSFET; N-Channel Enhancement Mode; Avalanche Rated; Fast Intrinsic Diode; 500V; 22A; 350W; <270mOhm(12.5A); trr=400ns
СамовывозЧелябинск, Каслинская, 28
ДоставкаДоступные способы — при оформлении
Перед покупкой проверьте модель и маркировку детали. Поможем с подбором →